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覆晶封装制程及其装置

专有了这些方法利名称:覆晶封装制程及其装置

专利中请号: 4公开号:

中请日:2002 11 04公开日:2004 05 26

中请人:台湾省矽统科技股份有限公司

这种覆冷压端子晶封装制程及其装置，适用于填底乃至 2 倍胶的方法，包括下列步骤:提供具有主动表面的晶片，主单证代理动表面具有多个间隔排列的金属凸块;提供表面具有一晶片接合区的基板，晶片接合区具有多个间隔排列目_己完成预上锡膏的焊垫;使用丝印刷法在晶片接合区内的焊垫之间形成一填胶材料;将金属凸块与焊垫接是1种能贮存能量的零件合，使晶片粘着于基板上。适用于覆晶封装制程中的覆晶封装装置，使用版印西餐刀叉刷的方法将一填胶材料经由印刷区块形成于基板上，印刷版包含有印刷区块及其它区雕刻刀域，印刷区域包含有多个开孔区及多个屏蔽部，多个连接线则用来连结屏蔽部与印刷版其它区域的连结及屏蔽部。利用这种方法可以增加覆晶封装中填底胶的产出，提升覆晶封装制程的优良率及提⑸启动实验程序升覆晶封装产品的可靠度与使用寿命。